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InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測(cè)試
● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長(zhǎng)的 InGaNGaN 量子阱
● 測(cè)試條件：325nm激發(fā)，功率30mW
● 光譜范圍：340-700nm
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